SK hynix раскрывает детали 16Гб LPDDR6 со скоростью 14.4Гбит/с, Samsung отправляет образцы LPDDR6X компании Qualcomm.

SK hynix разработала 16-гигабитный чип памяти Low Power DDR6, используя свою самую передовую DRAM-технологию класса 10-нанометров. Предварительный обзор их исследований, представленный на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC), подчеркивает улучшения в энергоэффективности и обработке сигналов, которые позволяют чипу работать на скоростях 14,4 гигабита в секунду.








